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EDC 4000 Horizontal

Tarjeta de Disco Embebida

512MB ~ 8GB

EDC 4000 Horizontal

Características

  • Soporta algoritmo de nivelación de desgaste estático (wear leveling)
  • S.M.A.R.T. e iSMART soportados
  • Sistema inteligente para recuperación de errores
  • Alta fiabilidad y compatibilidad
  • Diseño mecánico anti-vibración
  • Ciclos de energía mejorados
NACIDO PARA UN RENDIMIENTO SUPERIOR

El EDC 4000 horizontal de Innodisk se adapta a cualquier plataforma con un conector IDE y proporciona una actualización sencilla y rápida. Especialmente diseñado para aplicaciones industriales embebidas que requieran arranques rápidos, el EDC 4000 optimiza el entorno operativo y mejora las tasas de transferencia de datos con velocidades de lectura de hasta 40 MB/s y escritura de hasta 28 MB/s. El EDC 4000 horizontal está disponible en capacidades de 512 MB a 8 GB y se ofrece en paquetes de conector horizontal de 40 y 44 pines.

Tecnología de Nivelación del Desgaste (Wear Leveling): PROLONGACIÓN DE LA VIDA ÚTIL DEL PRODUCTO

Innodisk incorpora una avanzada tecnología de nivelación del desgaste para optimizar el almacenamiento en SSD y extender su vida útil. Esta tecnología se aplica tanto a bloques de almacenamiento dinámicos como estáticos, eliminando los conceptos tradicionales de zonas calientes y frías. De este modo, se logra un equilibrio uniforme del desgaste en toda la unidad, maximizando la eficiencia y durabilidad de cada bloque de memoria flash.

  Wear Leveling > 

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS

INDUSTRIAL / EMBEBIDO
INDUSTRIAL / EMBEBIDO

Diseñados para entornos exigentes, nuestros productos ofrecen alta durabilidad para satisfacer las demandas de la automatización industrial y los sistemas embebidos.

AUTOMATIZACIÓN
AUTOMATIZACIÓN

Optimizamos la eficiencia de los sistemas automatizados con productos que garantizan una gestión precisa de datos y un rendimiento duradero en entornos industriales.

ESPECIFICACIONES

Model NameEDC 4000 Horizontal
Flash TypeSLC
InterfacePATA
Form FactorEmbedded Disk Card
Capacity512MB ~ 8GB
Sequential R / W (MB/sec, max.)40 / 28
P/E Cycle60,000
TBW (Max.)--
Storage Temperature-55°C ~ 95°C
Max. Power Consumption3.3V / 5V
Max. Channels2
External DRAM BufferN
FeaturesS.M.A.R.T.
Dimension (W x L x H/mm)40-pin : 55 x 32.4 x H (H : A = 12.8;B = 9;C = 11.9;D = 14.6;E = 18.2;F = 18.2) 44-pin : 48 x 32.6 x H (H : A = 7;B = 7.2;C = 10;D = 9.9;E = 12.9;F = 12.9)
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock[email protected]
MTBF>3 million hours
Warranty5 Years

INFORMACIÓN DE P/N

Temperatura Operativa

Grado Estándar

(0°C ~ 70°C)

Grado Industrial

(-40°C ~ 85°C)

512MB

DE*P%-512D31C1SB

DE*P%-512D31W1SB

1GB

DE*P%-01GD31C1SB

DE*P%-01GD31W1SB

2GB

DE*P%-02GD31C1SB

DE*P%-02GD31W1SB

4GB

DE*P%-04GD31C1SB

DE*P%-04GD31W1SB

8GB

DE*P%-08GD31C1SB

DE*P%-08GD31W1SB

 *: 0 = 40-pin / 4 = 44-pin
%. Type A ~ F, please refer to TPS for the detailed mechanism.

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