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nanoSSD 3TE7
nanoSSD 3TE7
nanoSSD 3TE7

nanoSSD

32 GB ~ 256 GB

nanoSSD 3TE7

Características

  • Cumple con la especificación JEDEC MO-276
  • SATA III 6.0Gb/s
  • Compatible con NCQ
  • Gestión inteligente de Flash y recolección de basura en tiempo real
  • Compatible con S.M.A.R.T. y la utilidad iSMART
  • Cero interferencia mecánica
NACIDO PARA UN RENDIMIENTO SUPERIOR

El Innodisk nanoSSD es un dispositivo de almacenamiento SATA integrado, que incluye un controlador NAND Flash y la memoria NAND Flash más reciente en un factor de forma JEDEC MO-276 (μSSD) con encapsulado de matriz de bolas (BGA). El nanoSSD soporta SATA III 6.0 Gb/s en unas dimensiones muy reducidas, y ofrece bajo consumo de energía y alta fiabilidad. Es una solución ideal para aplicaciones embebidas, automotrices, médicas, de juego y la mayoría de las aplicaciones industriales.

Tecnologías TRIM y de Recolección de Basura: OPTIMIZACIÓN DEL RENDIMIENTO DEL SSD

La limpieza de elementos no usados es un proceso por el que se copian los datos que aún se utilizan a un nuevo bloque, y se eliminan los datos del bloque antiguo. Con la tecnología TRIM, se minimiza el número de operaciones necesarias para la eliminación de datos no usados, lo que reduce el desgaste innecesario del SSD y mejora su longevidad.

  Garbage Collection and TRIM > 

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS

TRANSPORTE
TRANSPORTE

Nuestras soluciones optimizan las operaciones, la gestión y la seguridad de vehículos eléctricos, autobuses, metros y más.

INDUSTRIAL / EMBEBIDO
INDUSTRIAL / EMBEBIDO

Diseñados para entornos exigentes, nuestros productos ofrecen alta durabilidad para satisfacer las demandas de la automatización industrial y los sistemas embebidos.

AUTOMATIZACIÓN
AUTOMATIZACIÓN

Optimizamos la eficiencia de los sistemas automatizados con productos que garantizan una gestión precisa de datos y un rendimiento duradero en entornos industriales.

ESPECIFICACIONES

Model NamenanoSSD 3TE7
Flash Type3D TLC
InterfaceSATA III 6.0 Gb/s
Form FactorM.2 1620
Capacity32GB ~ 256GB
Sequential R / W (MB/sec, max.)560 / 260
P/E Cycle3,000
TBW (Max.)300
Storage Temperature-40°C ~ 85°C
Max. Power Consumption0.9W
Max. Channels4
External DRAM BufferN
FeatureAES, S.M.A.R.T.
Dimension (W x L x H/mm)16.0 x 20.0 x 1.74
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock[email protected]
MTBF>3 million hours
Warranty3 Years

INFORMACIÓN DE P/N

Temperatura Operativa

Grado Estándar

(0°C ~ 70°C)

32GB

DENSD-32GDK1ECASL

64GB

DENSD-64GDK1ECADL

128GB

DENSD-A28DK1ECAQL

256GB

DENSD-B56DK1ECAQL

 

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