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2015/08/12 | 新聞稿

宜鼎國際 (Innodisk)DDR4大容量 16GB動態記憶體模組 (DRAM),搶先上市

採用20奈米製程顆粒,高階規格率先上市,滿足工控系統需求 

2015811日,台北訊–工控儲存領導廠商宜鼎國際(Innodisk)全新DDR4動態記憶體模組(DRAM)系列率先加入大容量16GB生力軍,採用先進20奈米製程原廠顆粒,高階規格深獲市場關注,產品高度成熟已進入至國際大廠測試驗證階段。宜鼎國際與上下游廠商建立深厚合作關係,能不斷擴增DDR4產品線,並承諾長期穩定供貨,以滿足工控系統特殊需求。

宜鼎國際已上市工控應用UDIMM/SODIMM/ECC 和UDIMM/SODIMM DDR4動態記憶體模組(DRAM),擁有業界最完整產品線,符合JEDEC最新規範,適用於 Intel即將於2015年中推出的工控應用主流平台Skylake,讓系統速度更快、功耗更低。

在產品設計上,Innodisk DDR4 全系列產品都具備同位元檢查 (Parity Check) 以及循環冗餘核對(CRC) 功能,大幅提升資料與訊號傳輸上的穩定性。而為了滿足嵌入式系統對於空間的限制,宜鼎也提供了相對應的 SODIMM 產品,具備ECC功能的動態記憶體模組,以提高系統的穩定度。

 

宜鼎國際工控應用DDR4動態記憶體模組的四大特色:

特色一:超低功耗

對比DDR3規格,宜鼎國際DDR4動態記憶體模組的功耗可減少至少20%,因此更適合用於手持式裝置。

特色二:效能大幅提升

對比過去工控常見DDR3 1600 SODIMM,宜鼎國際DDR4 2133 SODIMM的效能大幅提升了超過30%,展現令人滿意的資料處理速度。

特色三:超大容量

率先推出16GB超大容量,更符合網通、醫療與監控系統處理大型圖檔與巨量資料的需求。

特色四:確保訊號傳輸的完整性

全系列具備同位元檢查(Parity Check) 以及循環冗餘核對(CRC) 功能,可透過自動偵錯的方式,避免因為訊號干擾而導致不正確的資料或指令被寫入記憶體,並可確保高速運作時資料傳輸的完整性。



產品訊息

產品系列

模組類型

運作時脈

容量

電壓

功能

Embedded DIMM/ Server

DDR4 DIMM

2133Mhz

4GB/8GB/16GB

1.2V

ECC Unbuffered Memory

Embedded DIMM/ Server

DDR4 SODIMM

2133Mhz

4GB/8GB/16GB

1.2V

ECC Unbuffered Memory

Embedded DIMM

DDR4 DIMM

2133Mhz

4GB/8GB/16GB

1.2V

Non-ECC Unbuffered Memory

Embedded DIMM

DDR4 SODIMM

2133Mhz

4GB/8GB/16GB

1.2V

Non-ECC Unbuffered Memory

 

關於宜鼎

宜鼎國際 (Innodisk) 是領先全球的資料儲存裝置及記憶體模組解決方案供應商,產品適用於工業及嵌入式產品等各種關鍵性應用。宜鼎國際運用內部的工程和研發專業知識,以及對產業趨勢的敏銳洞察力,以固態硬碟 (SSD) 技術提供強化、垂直整合的資料儲存解決方案,其符合嚴格的航太與國防應用要求,並廣泛用於工業應用及嵌入式系統。從獨特的外型到特殊的韌體設計,我們的軟硬體及韌體工程師支援團隊隨時準備為每位客戶量身打造最適合的客製化解決方案。

關於宜鼎國際產品系列、技術與應用的詳細資訊,請參閱 www.innodisk.com