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iCF 1SE

Tarjeta CompactFlash

512 MB ~ 8 GB

iCF 1SE

Características

  • Monitoreo de estado del disco con iSMART
  • Sistema inteligente de recuperación de errores
  • Excelente velocidad de transferencia de datos
  • Diseño mecánico anti-vibración
NACIDO PARA UN RENDIMIENTO SUPERIOR

Las tarjetas Innodisk Industrial CompactFlash® 1SE (iCF 1SE) ofrecen memoria flash sólida de alta capacidad, cumpliendo eléctricamente con el modo True IDE compatible con discos IDE. El formato CF original permite ser usado en cualquier sistema con ranura CF.

Diseñada como reemplazo de discos duros giratorios, la iCF 1SE es una solución sólida embebida para informática móvil e industriales. Su formato es extremadamente ligero, fiable y de bajo perfil. La iCF 1SE soporta modos avanzados PIO (0-6), Multiword DMA (0-2), Ultra DMA (0-4), transferencia multibloque y direccionamiento LBA.

Tecnología de Nivelación del Desgaste (Wear Leveling): PROLONGACIÓN DE LA VIDA ÚTIL DEL PRODUCTO

Innodisk incorpora una avanzada tecnología de nivelación del desgaste para optimizar el almacenamiento en SSD y extender su vida útil. Esta tecnología se aplica tanto a bloques de almacenamiento dinámicos como estáticos, eliminando los conceptos tradicionales de zonas calientes y frías. De este modo, se logra un equilibrio uniforme del desgaste en toda la unidad, maximizando la eficiencia y durabilidad de cada bloque de memoria flash.

  Wear Leveling > 

IMPLEMENTADO CON ÉXITO EN ENTORNOS DINÁMICOS

INDUSTRIAL / EMBEBIDO
INDUSTRIAL / EMBEBIDO

Diseñados para entornos exigentes, nuestros productos ofrecen alta durabilidad para satisfacer las demandas de la automatización industrial y los sistemas embebidos.

ENTRETENIMIENTO
ENTRETENIMIENTO

Nuestros productos mejoran la experiencia del usuario en sistemas de juego y plataformas de entretenimiento, garantizando un funcionamiento fluido y el cumplimiento de los estándares del sector.

ESPECIFICACIONES

Model NameiCF 1SE
Flash TypeSLC
InterfacePATA
Form FactorCompactFlash (CF Card)
Capacity512MB ~ 8GB
Sequential R / W (MB/sec, max.)40 / 30
P/E Cycle60,000
TBW (Max.)421
Storage Temperature-55°C ~ 95°C
Max. Power Consumption0.8W
Max. Channels2
External DRAM BufferN
FeaturesS.M.A.R.T.
Dimension (W x L x H/mm)42.8 x 36.4 x 3.3
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock[email protected]
MTBF>3 million hours
Warranty5 Years

INFORMACIÓN DE P/N

Temperatura Operativa

Grado Estándar

(0°C ~ 70°C)

Grado Industrial

(-40°C ~ 85°C)

512MB

DC1M-512D41AC1SB

DC1M-512D41AW1SB

1GB

DC1M-01GD41AC1DB

DC1M-01GD41AW1DB

2GB

DC1M-02GD41AC1DB

DC1M-02GD41AW1DB

4GB

DC1M-04GD41AC1DB

DC1M-04GD41AW1DB

8GB

DC1M-08GD41AC1DB

DC1M-08GD41AW1DB

 

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