新一代3D NAND 接轨智慧工业需求

3D NAND – 有什么
不一样？

相较于传统 2D NAND，3D NAND 使用堆栈式架构，以垂直堆栈储存单元的方式，令其密度倍级提升
3D NAND延伸摩尔定律，满足现时对大容量的储存需求，而不须缩小储存单元大小
目前3D NAND技术主要使用在MLC 及 TLC，抹写次数约等同于 2D NAND 的 SLC 及 MLC

3D NAND 已逐渐成为闪存市场上的主力，宜鼎所推出的新一代3D NAND 闪存不仅同时拥有大容量，高效能的优势，更能符合工业等级的严格要求。此一固态硬盘 (SSD) 系列的设计是专门为工业嵌入式环境所打造，适用于边缘运算所带来诸多挑战。

宜鼎3D NAND SSD 系列，使用TOSHIBA生产的纯工业等级 3D TLC NAND，抹写次数高达三千次，能满足许多嵌入式应用情境所需。此外，透过不同的固件優化技術，优化技术，可针对不同应用面向，释放其最大效能。宜鼎所推出的新一代工业等级3D NAND SSD，考虑工业环境对于稳定性的严苛要求，避免使用 SLC 快取 (SLC Cache)，防止效能高低落差；另一方面，也能避免SLC 快取造成额外数据传输而减少抹写次数。

宜鼎3D NAND SSD 系列有两款型号：3TE7及3TG6-P，前者为无 DRAM 版本，后者则搭配额外的 DRAM 芯片及 Marvell 控制器。此系列模块可整合 AES 加密，以及端对端数据路径保护 (End-to-End Data Path Protection) ，确保数据传输中每一点的错误校正。此外，亦可加入宜鼎独家研发的三大电源稳定技术： iCell™、iPower Guard™、iData Guard™，进一步强固数据完整性，使其不受电源波动影响。