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硫化現象的產生
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- 「硫化」指的是當DRAM模組中的電阻與含硫氣體作用後，產生硫化銀的化學現象。
- 硫化銀所造成的腐蝕將降低傳導性，並可能導致模組無法正常運作。
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宜鼎的抗硫化技術
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- 宜鼎即日起將於所有DDR4記憶體電阻加上抗硫層。抗硫層將能有效阻隔硫化氣體與其他汙染源接觸電阻，進而達到抗硫化功能。
- 所有宜鼎DDR4產品均超越美國國際抗硫化標準，並通過480小時SGS測試。
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硫化現象常見於工業環境中，並容易在以下特定應用環境及領域產生，如高度汙染、火山活動頻繁區域，以及石化、礦採、能源發展等特定產業等。
宜鼎一向承諾以最大的努力，與客戶共同解決各種來自污染和惡劣環境的挑戰。因此，為了對付工業中的硫化現象，我們針對DDR4模組實施全面性的抗硫化措施 – 而您將無需負擔任何額外的成本！
宜鼎DDR4全系列記憶體模組不但率先推出2666的高速規格，也提供業界最齊全的產品組合，包含超矮板、SODIMM、Mini DIMM等全系列，同時宜鼎DDR4也經將抗硫化功能納入標準規格中，奠定工控業界新定義，並進一步推升工控模組的品質標竿。
工業環境必須經常面對各種極端溫度變化，而宜鼎的DRAM產品皆通過工業級寬溫測試，能在-40°C至85°C環境下完美運行，並提供多種加值技術，如側面填充技術，為各種工業需求提供最高等級與堅固耐用的儲存裝置。
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