硫化现象的产生
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- 「硫化」指的是当DRAM模块中的电阻与含硫气体作用后,产生硫化银的化学现象。
- 硫化银所造成的腐蚀将降低传导性,并可能导致模块无法正常运作。
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宜鼎的抗硫化技术
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- 宜鼎即日起将于所有DDR4内存电阻加上抗硫层。抗硫层将能有效阻隔硫化气体与其他污染源接触电阻,进而达到抗硫化功能。
- 所有宜鼎DDR4产品均超越美国国际抗硫化标准,并通过480小时SGS测试。
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硫化现象常见于工业环境中,并容易在以下特定应用环境及领域产生,如高度污染、火山活动频繁区域,以及石化、矿采、能源发展等特定产业等。
宜鼎一向承诺以最大的努力,与客户共同解决各种来自污染和恶劣环境的挑战。因此,为了对付工业中的硫化现象,我们针对DDR4模块实施全面性的抗硫化措施 – 而您将无需负担任何额外的成本!
宜鼎DDR4全系列内存模块不但率先推出2666的高速规格,也提供业界最齐全的产品组合,包含超矮板、SODIMM、Mini DIMM等全系列,同时宜鼎DDR4也经将抗硫化功能纳入标准规格中,奠定工控业界新定义,并进一步推升工控模块的质量标竿。
工业环境必须经常面对各种极端温度变化,而宜鼎的DRAM宽温产品皆通过工业级宽温测试,能在-40°C至85°C环境下完美运行,并提供多种加值技术,如侧面填充技术等,为各种工业需求提供最高等级与坚固耐用的储存装置。
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