3D NAND – 有什麼 不一樣?
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- 相較於傳統 2D NAND,3D NAND 使用堆疊式架構,以垂直堆疊儲存單元的方式,令其密度倍級提升
- 3D NAND延伸摩爾定律,滿足現時對大容量的儲存需求,而不須縮小儲存單元大小
- 目前3D NAND技術主要使用在MLC 及 TLC,抹寫次數約等同於 2D NAND 的 SLC 及 MLC
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3D NAND 已逐漸成為快閃記憶體市場上的主力,宜鼎所推出的新一代3D NAND 快閃記憶體不僅同時擁有大容量,高效能的優勢,更能符合工業等級的嚴格要求。此一固態硬碟 (SSD) 系列的設計是專門為工業嵌入式環境所打造,適用於邊緣運算所帶來諸多挑戰。
宜鼎3D NAND SSD 系列,使用東芝生產的純工業等級 3D TLC NAND,抹寫次數高達三千次,能滿足許多嵌入式應用情境所需。此外,透過不同的韌體優化技術,可針對不同應用面向,釋放其最大效能。宜鼎所推出的新一代工業等級3D NAND SSD,考量工業環境對於穩定性的嚴苛要求,避免使用 SLC 快取 (SLC Cache),防止效能高低落差;另一方面,也能避免SLC 快取造成額外資料傳輸而減少抹寫次數。
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