全新抗硫化DRAM模組，滿足嚴苛環境使用需求

硫化現象的產生

硫化物與為DRAM 模組中所使用的銀引發化學作用後，而產生硫化銀。
硫化銀所造成的腐蝕將降低傳導性，並可能導致模組無法正常運作。
硫化現象容易在以下特定應用環境及領域產生，如高度汙染、火山活動頻繁區域，以及石化、礦採、能源發展等特定產業等。

有越來越多的嵌入式系統及元件使用在高濃度的硫磺氣體區域。而這些氣體中所散發的硫化物質將造成DRAM模組的腐蝕侵害，導致模組或裝置的運作失效，更因為系統運作中斷的緣故，造成客戶的成本負擔。

面臨這個挑戰，宜鼎國際發表了全新抗硫化DRAM模組系列。透過特製的防護設計，此系列產品可高硫化物質環境，有效阻絕硫化物質，保護暴露在空氣中的模組及元件。

宜鼎國際擁有多樣化的產品，提供結合抗硫化技術、ECC結構設計，30µ” 金手指工業等級之DRAM產品廠商。我們提供從−40°C 到 85°C的寬溫模組產品，以面對極端溫差環境的挑戰。並提供表面塗裝(Conformal Coating) 技術、側面填裝 (side fill) 技術，以增加產品強固性，力求供應客戶更穩固的模組產品。