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2015/08/12 | 新聞稿

宜鼎国际(Innodisk)DDR4大容量16GB动态记忆体模组(DRAM),抢先上市

采用20 奈米制程颗粒,高阶规格率先上市,满足工控系统需求 

2015 11 日,台北讯 –工控储存领导厂商宜鼎国际(Innodisk)全新DDR4动态记忆体模组(DRAM)系列率先加入大容量16GB生力军,采用先进20奈米制程原厂颗粒,高阶规格深获市场关注,产品高度成熟已进入至国际大厂测试验证阶段。宜鼎国际与上下游厂商建立深厚合作关系,能不断扩增DDR4产品线,并承诺长期稳定供货,以满足工控系统特殊需求。

宜鼎国际已上市工控应用UDIMM/SODIMM/ECC 和UDIMM/SODIMM DDR4动态记忆体模组(DRAM),拥有业界最完整产品线,符合JEDEC最新规范,适用于Intel即将于2015年中推出的工控应用主流平台Skylake,让系统速度更快、功耗更低。

在产品设计上,Innodisk DDR4 全系列产品都具备同位元检查(Parity Check) 以及循环冗余核对(CRC) 功能,大幅提升资料与讯号传输上的稳定性。而为了满足嵌入式系统对于空间的限制,宜鼎也提供了相对应的SODIMM 产品,具备ECC功能的动态记忆体模组,以提高系统的稳定度。

 

宜鼎国际工控应用DDR4动态记忆体模组的四大特色:

特色一:超低功耗

对比DDR3规格,宜鼎国际DDR4动态记忆体模组的功耗可减少至少20%,因此更适合用于手持式装置。

特色二:效能大幅提升

对比过去工控常见DDR3 1600 SODIMM,宜鼎国际DDR4 2133 SODIMM的效能大幅提升了超过30%,展现令人满意的资料处理速度。

特色三:超大容量

率先推出16GB超大容量,更符合网通、医疗与监控系统处理大型图档与巨量资料的需求。

特色四:确保讯号传输的完整性

全系列具备同位元检查(Parity Check) 以及循环冗余核对(CRC) 功能,可透过自动侦错的方式,避免因为讯号干扰而导致不正确的资料或指令被写入记忆体,并可确保高速运作时资料传输的完整性。



产品讯息

产品系列

模组类型

运作时脉

容量

电压

功能

Embedded DIMM/ Server

DDR4 DIMM

2133Mhz

4GB/8GB/16GB

1.2V

ECC Unbuffered Memory

Embedded DIMM/ Server

DDR4 SODIMM

2133Mhz

4GB/8GB/16GB

1.2V

ECC Unbuffered Memory

Embedded DIMM

DDR4 DIMM

2133Mhz

4GB/8GB/16GB

1.2V

Non-ECC Unbuffered Memory

Embedded DIMM

DDR4 SODIMM

2133Mhz

4GB/8GB/16GB

1.2V

Non-ECC Unbuffered Memory

 

关于宜鼎

宜鼎国际(Innodisk) 是领先全球的资料储存装置及记忆体模组解决方案供应商,产品适用于工业及嵌入式产品等各种关键性应用。宜鼎国际运用内部的工程和研发专业知识,以及对产业趋势的敏锐洞察力,以固态硬碟(SSD) 技术提供强化、垂直整合的资料储存解决方案,其符合严格的航太与国防应用要求,并广泛用于工业应用及嵌入式系统。从独特的外型到特殊的韧体设计,我们的软硬体及韧体工程师支援团队随时准备为每位客户量身打造最适合的客制化解决方案。

关于宜鼎国际产品系列、技术与应用的详细资讯,请参阅www.innodisk.com